[发明专利]碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 202010785068.0 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112349767A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 颜诚廷 | 申请（专利权）人： | 即思创意股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/16;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁小龙 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种碳化硅半导体器件，包括一设于邻接具有第一导电性漂移层上表面的主动区的一第二导电性第一掺杂区、一第一导电性第二掺杂区及多个第二导电性第三掺杂区。第一掺杂区包括第一支部、基体部及第一臂部，第一臂部沿着第一方向延伸并连接至少两个第一支部。第一支部沿第二方向延伸。基体部连接至少两个第一支部。第二掺杂区设置于第一掺杂区中。第二掺杂区包括第二支部、源极部和第二臂部。第二支部沿第二方向延伸。源极部设置于基体部中并连接至少两个第二支部。第二臂部沿第一方向延伸并连接至少两个第二支部。第三掺杂区设置于基体部中。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
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