[发明专利]一种联动接触电容式加速度敏感芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202010785862.5 | 申请日： | 2020-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN112034204A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 揣荣岩;杨宇新;张冰;乔子明;张贺 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | G01P15/125 | 分类号： | G01P15/125;G01P15/08;B81C3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种联动接触电容式加速度敏感芯片及其制造方法。该芯片采用绝缘体上硅材料(SOI)并结合硅硅直接键合技术制造，Z轴为其敏感方向，包括刻有凹槽的单晶硅衬底，悬空可动的下极板，氮化硅介质层，密封腔体，上极板，金属层。初始状态下，敏感结构的腔体内部与外界存在气压差，上极板与下极板上的介质层处于接触状态；当外界加速度作用于敏感结构上时，两极板的接触面积发生变化，由于下极板是悬空可动的，上下极板形成联动效果，通过压焊点与外部电路连接成电容检测电路，将加速度信号转换成电容信号输出。这种联动接触电容式加速度敏感芯片具有线性度好、线性量程范围大、过载能力强、交叉耦合系数小、可靠性高、温度漂移小等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 联动 接触 电容 加速度 敏感 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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