[发明专利]测量半极性面Ⅲ族氮化物薄膜缺陷密度的方法及其应用有效
| 申请号： | 202010787500.X | 申请日： | 2020-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN111948235B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 孙茂松;张纪才;孙文红 | 申请（专利权）人： | 广西大学 |
| 主分类号： | G01N23/20 | 分类号： | G01N23/20 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 530000 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种测量半极性面III族氮化物薄膜缺陷密度的方法及其应用。所述的方法包括：采用X射线衍射仪测量生长在异质衬底的半极性面III族氮化物薄膜，从而获得所述薄膜面内摇摆曲线半高宽极大值与薄膜的(10‑10)晶面、(20‑20)晶面、(30‑30)晶面的摇摆曲线半高宽与峰位值；计算获得其a型位错的半高宽展宽、其半极性面的层错间距L |
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| 搜索关键词： | 测量 极性 氮化物 薄膜 缺陷 密度 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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