[发明专利]一种基于量子阱混杂有源区的半导体激光器及制备方法在审
| 申请号： | 202010788316.7 | 申请日： | 2020-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN112072469A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 林涛;赵荣进;邓泽军;马泽坤 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 杨洲 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于量子阱混杂有源区的半导体激光器，包括：N面电极、GaAs衬底、GaInP缓冲层、AlInP下限制层、AlGaInP下波导层、量子阱混杂有源区、AlGaInP上波导层、AlInP上限制层、介质薄膜、GaInP势垒层、GaAs欧姆接触层、P面电极，量子阱混杂有源区包括GaInP量子阱和AlGaInP量子垒。本发明通过对整个激光器材料结构的有源区进行量子阱混杂，在保证有源区应变变化较小的前提下实现对有源区能带结构的调整，将激光器输出波长蓝移变短，是一种利用GaInP材料实现短波长红光、黄光、橙光、绿光激光器的新结构，该激光器具有输出功率和光电转换效率高，可靠性好的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 量子 混杂 有源 半导体激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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