[发明专利]一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法在审
| 申请号： | 202010788768.5 | 申请日： | 2020-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN111834529A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡佩庭;邢庸宇;詹益旺;刘安淇;蔡东益 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法，通过在柱状结构的下电极外侧壁设置支撑结构，支撑结构包括支撑下电极上部区域的顶部支撑结构，该顶部支撑结构至少包括第一支撑层以及与第一支撑层材料不同的第二支撑层，第一支撑层的下表面被设置为与第二支撑层的上表面接触，并且第一支撑层与第二支撑层的接触界面低于下电极的顶部，第一支撑层的上表面高于下电极的顶部；再形成有覆盖下电极与支撑结构的电容介电层以及覆盖电容介电层的上电极，可以在满足下电极在垂直方向上延伸的高度的同时，降低漏电率，以及避免在对下电极的顶部支撑结构进行图案化的过程中，需保留位置处的支撑结构受到破坏，能够有效提高下电极的稳定性和电容结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 结构 半导体器件 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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