[发明专利]镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法在审
| 申请号： | 202010790472.7 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN112017959A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 江文章 | 申请（专利权）人： | 黄知澍 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/8252;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/207;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/778;H01L27/06;H01L27/085 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾台北市大*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在此镓解理面的氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有一基底；一位于基底上的氮化镓碳掺杂高阻值层；一位于氮化镓碳掺杂高阻值层上的氮化镓铝缓冲层；一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化镓通道层；以及一位于氮化镓通道层上的氮化镓铝层。在元件设计上藉由P型氮化镓倒置梯型栅极或阳极结构使镓解理面III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在P型氮化镓倒置梯型结构下方处能呈现耗尽状态，以制作出P型氮化镓栅极加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、P型氮化镓阳极氮化镓铝/氮化镓肖特基势垒二极管或混合型元件。 | ||
| 搜索关键词： | 解理 iii 氮化物 结构 及其 主动 元件 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黄知澍，未经黄知澍许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010790472.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
