[发明专利]一种四氧化三钴光电阴极强化产电去污的SMFCs及制备方法在审
申请号: | 202010794202.3 | 申请日: | 2020-08-07 |
公开(公告)号: | CN111916808A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 吴振斌;张霞;周巧红;武俊梅;王川;张洪培;李亚华;李前正 | 申请(专利权)人: | 中国科学院水生生物研究所 |
主分类号: | H01M8/16 | 分类号: | H01M8/16;H01M4/88;H01M4/90;C02F1/30;C02F1/72;C02F11/00 |
代理公司: | 武汉宇晨专利事务所 42001 | 代理人: | 王敏锋 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: |
本发明公开了一种四氧化三钴光电阴极强化产电去污的SMFCs及制备方法,外导线分别与四氧化三钴光电阴极、外接电阻相连,生物阳极与外接电阻相连,在生物阳极上设有沉积物层。步骤是:(1)将硝酸钴溶于甲醇溶液中,加入去离子水,得红色溶液;(2)将十二烷基苯磺酸钠加入步骤1中,得红色溶液;(3)将悬浮液置于特氟龙内衬不锈钢高压釜中,在烘箱中加热,冷却至室温得到负载于石墨毡上的四氧化三钴前驱体;(4)将得前驱体分别用乙醇和去离子水洗涤,洗涤后在烘箱中干燥;(5)将马弗炉中煅烧,得到Co |
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搜索关键词: | 一种 氧化 光电 阴极 强化 去污 smfcs 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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