[发明专利]一种四氧化三钴光电阴极强化产电去污的SMFCs及制备方法在审

专利信息
申请号: 202010794202.3 申请日: 2020-08-07
公开(公告)号: CN111916808A 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 吴振斌;张霞;周巧红;武俊梅;王川;张洪培;李亚华;李前正 申请(专利权)人: 中国科学院水生生物研究所
主分类号: H01M8/16 分类号: H01M8/16;H01M4/88;H01M4/90;C02F1/30;C02F1/72;C02F11/00
代理公司: 武汉宇晨专利事务所 42001 代理人: 王敏锋
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种四氧化三钴光电阴极强化产电去污的SMFCs及制备方法,外导线分别与四氧化三钴光电阴极、外接电阻相连,生物阳极与外接电阻相连,在生物阳极上设有沉积物层。步骤是:(1)将硝酸钴溶于甲醇溶液中,加入去离子水,得红色溶液;(2)将十二烷基苯磺酸钠加入步骤1中,得红色溶液;(3)将悬浮液置于特氟龙内衬不锈钢高压釜中,在烘箱中加热,冷却至室温得到负载于石墨毡上的四氧化三钴前驱体;(4)将得前驱体分别用乙醇和去离子水洗涤,洗涤后在烘箱中干燥;(5)将马弗炉中煅烧,得到Co3O4光电阴极。采用产氧特性的Co3O4光催化剂负载碳基电极为SMFC光电阴极。有效提高了阴极氧还原反应速率,降低了光生电子空穴对的复合。
搜索关键词: 一种 氧化 光电 阴极 强化 去污 smfcs 制备 方法
【主权项】:
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