[发明专利]一种超宽禁带p型SnO2

摘要

本发明属于光电子薄膜材料技术领域，具体涉及一种超宽禁带p型透明导电SnO2薄膜的制备方法。本征SnO2为n型导电，高质量的稳定p型SnO2薄膜至今缺乏。且SnO2的光学带隙仅为3.6eV，难以满足制作高速、高频、大功率电子器件的要求。本发明以SnO2、ZrO2和ZnO粉末为原料，在c面蓝宝石衬底上沉积获得了超宽禁带p型透明导电SnO2薄膜。其在可见光区透过率高达90％以上，光学带隙相较于纯SnO2明显拓宽至4.5eV，导电类型为p型，空穴载流子浓度达1015cm‑3。本方法原材料廉价易得，制备工艺简单，能源消耗低，具有良好的规模化工业生产前景。将在包括平板显示器、太阳能电池和光电探测器等相关器件的制造和改良上得到广泛应用。