[发明专利]一种硫掺杂ReSe2在审

专利信息
申请号: 202010795709.0 申请日: 2020-08-10
公开(公告)号: CN112133892A 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 张业龙;周健文;徐晓丹;孙宏阳;李振瀚;宋伟东;郭月;温锦秀 申请(专利权)人: 五邑大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/58;H01M4/136;H01M10/054;B82Y40/00
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 黄琳娟
地址: 529000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种硫掺杂ReSe2/MXene复合材料的制备方法,以MXene为主要基底,将合成的ReSe2负载在MXene上,将硫元素掺杂到ReSe2/MXene复合物中,经热处理反应制得硫掺杂ReSe2/MXene复合材料。所述硫掺杂ReSe2/MXene复合材料导电性佳,层间距增大,比表面积大。MXene特殊的层状结构有效减缓在循环充放电过程中由于负极材料的团聚或体积膨胀而带来的电学性能下降、结构塌陷等问题;ReSe2的负载有效提高了层间距,增大比表面积;进一步地,硫元素的掺杂使ReSe2/MXene复合材料暴露更多活性位点与空位,提高材料的储钾性能。MXene,ReSe2,硫原子之间以弥补各自的缺陷和不足,具有协同增效作用,最大程度地提高了复合材料的储钾性能,比容量、充放电稳定性、电子转移速率等性能。同时,制备工艺简单,性能可控。
搜索关键词: 一种 掺杂 rese base sub
【主权项】:
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