[发明专利]一种基于脉冲磁控管占空比合成的功率源系统有效
申请号: | 202010795897.7 | 申请日: | 2020-08-10 |
公开(公告)号: | CN111933502B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 蒙林;宋岷生;殷勇;王彬;李海龙 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01J25/50 | 分类号: | H01J25/50;H01J25/58 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 甘茂 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于电真空器件领域,涉及磁控管,具体提供一种基于脉冲磁控管占空比合成的功率源系统,用以克服现有技术中脉冲磁控管的工作比(或者说重复频率)无法提高的问题。本发明基于脉冲磁控管占空比合成的功率源系统包括:时序发生器1、N个高压脉冲调制器2、N个脉冲磁控管3、以及N合1输出装置4,N≥2;利用时序发生器分别给N个高压脉冲调制器发送频率相同、相位依次相差360°/N的错位时序信号,使得N个脉冲磁控管交替输出脉冲微波信号,并由N合1输出装置4将N路不同相位的微波信号耦合为一路微波信号输出;有效提高了系统整体微波脉冲能量输出的重复频率及最大占空比。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 脉冲 磁控管占空 合成 功率 系统 | ||
【主权项】:
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