[发明专利]一种负反馈型单光子雪崩光电二极管及其制作方法

摘要

本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种负反馈型单光子雪崩光电二极管及其制作方法，包括：衬底、缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层和帽层，衬底下方设置有入射光窗和N电极，N电极对称分布在入射光窗周围；衬底上方依次设置缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层和帽层；帽层上设置有阶梯结构P型掺杂区，P型掺杂区上生长有P电极；帽层上表面设置有介质膜，介质膜的中部设置有半封闭回旋环状结构的负反馈电阻，介质膜上设置有焊盘，负反馈电阻一端与P电极相连，另一端与焊盘相连。本发明能够实现单光子雪崩光电二极管SPAD盖革雪崩的快速淬灭、快速恢复，提升SPAD的光子探测速率、降低后脉冲效应，且具备到达时间不预测光子探测功能。