[发明专利]一种无结型场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202010796589.6 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN111883579A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;楼海君;林信南 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种无结型场效应晶体管，包括无结纳米线，所述无结纳米线包括沿其轴线方向依次定义的源区、沟道区和漏区；环所述沟道区的外周表面全覆盖有栅电介质层，环所述栅电介质层的外周表面全覆盖有栅电极层；由于无结型场效应晶体管源电介质层和漏电介质层分别位于源区的端面和漏区的端面，使得器件在工作时，金属与半导体体硅接触的位置与沟道相距更近，所以源漏电阻降低，从而极大的增大了器件的开态电流，边缘粗糙度造成器件电学特性的波动进一步受到抑制，提高了器件电学特性的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无结型 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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