[发明专利]一种相变存储器件及其制造方法、操作方法有效
| 申请号： | 202010797732.3 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN111969105B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 潘绪文 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/10;G11C13/00 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种相变存储器件及其制造方法、操作方法，包括位于衬底上的第一电极、围绕第一电极的加热电极、围绕加热电极的相变层、和围绕相变层的第二电极，由于相变层包裹加热电极，相变时散热小，具有更高的能量转换率，可以减小能耗。而且加热电极接地，在相变层与加热电极发生体积分离时可以导通辅加热路线，进而可以增加操作的可靠性、以及器件性能的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储 器件 及其 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010797732.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
