[发明专利]改善NMOSFET热载流子效应的方法及NMOSFET器件在审
| 申请号： | 202010798596.X | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN112038404A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 陆逸枫;潘宗延;陈明志 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及改善NMOSFET热载流子效应的方法构，涉及半导体集成电路技术，通过在源区侧的轻掺杂漏区与漏区侧的轻掺杂漏区之间设置晕环注入区，即形成中间型晕环注入区，使得晕环注入区与轻掺杂漏区之间增加一段相较于晕环注入区掺杂浓度更低的衬底Pwell掺杂区域，轻掺杂漏区与PW形成缓变结，耗尽区从轻掺杂漏区与PW的交界面向PW延伸至中间型晕环注入区内部，从而使得电场可以再向沟道方向延伸，进一步降低峰值电场，由于改良的中间型晕环注入区结构具有更加缓变的缓变结，可以使得电场向沟道方向延伸，进一步降低峰值电场，改变电场分布，最终达到进一步有效改善HCI效应的目的，且在改善HCI效应的同时，中间型晕环注入区LDD结构可以有效防止短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 nmosfet 载流子 效应 方法 器件 | ||
【主权项】：
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