[发明专利]地氟烷蒸发室温度控制方法、设备、存储介质及装置有效
| 申请号： | 202010798710.9 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN112015209B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 金巍;彭平;邹水奇 | 申请（专利权）人： | 深圳市普博科技有限公司 |
| 主分类号： | G05D23/30 | 分类号： | G05D23/30 |
| 代理公司： | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 | 代理人： | 刘冰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种地氟烷蒸发室温度控制方法、设备、存储介质及装置，涉及温控技术领域，该方法包括：获取目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值，并计算所述目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值之间的温度差值；根据所述温度差值控制所述第一加热单元进行发热；判断所述温度差值是否大于预设阈值；在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率。本发明中一加热单元采用反馈控制，能够根据当前温度值进行实时调整，以维持地氟烷蒸发室内的温度恒定；另一加热单元在地氟烷蒸发室内的温度出现较大浮动时，进行加热，快速调整地氟烷蒸发室内的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸发 温度 控制 方法 设备 存储 介质 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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