[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202010799723.8 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113035252A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 铃木慎二;志村安広 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10;G11C16/30;G11C16/08;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种抑制写入速度的降低且抑制阈值分布的扩展及偏倚的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含多个存储单元、字线及控制器。多个存储单元各自能够存储多比特的数据。字线连接于多个存储单元。控制器执行包含多个程序循环的写入动作。写入动作中，控制器在第1次程序循环的编程动作中对字线施加第1编程电压VPGMinit，在第2次程序循环的编程动作中，第1种情况下对字线施加第2编程电压VPGMinit+DVPGM1，第2种情况下对字线施加第3编程电压VPGMinit+DVPGM2。第1及第2编程电压的差不同于第1及第3编程电压的差。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
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