[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010799755.8 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113345955A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 末山敬雄;小森阳介 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种缓和配线内的空位局部集中的情况且可靠性较高的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备第1金属配线。第1金属配线设置在衬底的上方，且以第1宽度在第1方向上延伸。至少1条第2金属配线连接于第1金属配线，且以比第1宽度窄的第2宽度从第1金属配线沿第2方向延伸。虚设金属配线与至少1条第2金属配线相邻配置，连接于第1金属配线且从该第1金属配线沿第2方向延伸。然而，虚设金属配线不电连接于第1金属配线以外的配线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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