[发明专利]一种生长金刚石厚膜的籽晶及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202010800451.9 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN111962149A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 彭国令;黄翀;刘立斌 | 申请（专利权）人： | 长沙新材料产业研究院有限公司;中南大学 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/04 |
| 代理公司： | 长沙楚为知识产权代理事务所(普通合伙) 43217 | 代理人： | 陶祥琲 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供本申请提供一种生长金刚石厚膜的籽晶及其制备方法与应用，所述籽晶包括{100}晶面的上表面，与所述上表面垂直的{100}晶面的侧表面以及倒角面；所述倒角面包括位于所述上表面边缘线轮廓处的{110}晶面的第一倒角面，位于所述上表面边缘角处的{111}晶面的第二倒角面，位于{100}晶面的上表面与{111}晶面的第二倒角面之间的{113}晶面的第三倒角面，以及{100}晶面的上表面与{110}晶面的第一倒角面之间的交接处的第四倒角面。本发明中的第一倒角面、第二倒角面、第三倒角面和第四倒角面，在生长金刚石厚膜的过程中可以有效降低边角引起的尖端效应，延缓边缘多晶的生长，使得单晶金刚石可以长时间的稳定生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 金刚石 籽晶 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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