[发明专利]ZnMgO紫外探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010800909.0 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN111785793A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 刘可为;侯其超;申德振;陈星;张振中;李炳辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/108;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种ZnMgO紫外探测器及其制备方法，其中的方法包括：S1、以有机锌化合物作为锌源，以有机镁化合物作为镁源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长ZnMgO薄膜；S2、在ZnMgO薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，在叉指电极掩膜溅射金属后将叉指电极掩膜去除，形成叉指电极；S3、在叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的ZnMgO紫外探测器。与现有技术相比，本发明通过增加氧气流量、增加氧分压、减少氧缺陷的方式，使得制备的ZnMgO薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭等特点，混相结构的ZnMgO薄膜2能够同时满足高响应度和低暗电流，从而使ZnMgO紫外光电探测器具有更低的暗电流和更高的光响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | znmgo 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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