[发明专利]一种优化光学邻近效应修正中曝光辅助图形的方法有效
申请号: | 202010802375.5 | 申请日: | 2020-08-11 |
公开(公告)号: | CN111812940B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 付欣欣;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种优化OPC中曝光辅助图形的方法,主要包括:生成光阻模型,在待优化的曝光图形中增加曝光辅助图形,并对比增加前后的曝光图形的中心光强极值、对比度和曝光关键尺寸;若满足条件,则对比曝光辅助图形的中心光强极值和曝光图形的成像阈值,若满足条件,则输出曝光辅助图形的设置规则。通过对比增加曝光辅助图形前后的曝光图形的中心光强极值、对比度和曝光关键尺寸可以筛选出对曝光图形曝光有益的曝光辅助图形的设置规则;对比曝光辅助图形的中心光强极值和曝光图形的成像阈值可以确保曝光辅助图形不会成像。通过简单的计算就可以将符合要求的曝光辅助图形规则提取出来,解决了现有技术中曝光辅助图形规则不易提取且计算量大的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 优化 光学 邻近 效应 修正 曝光 辅助 图形 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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