[发明专利]一种基于非溶剂全无机Pb基钙钛矿薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010803035.4 申请日: 2020-08-11
公开(公告)号: CN111925128A 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 陈永生;郭海中;萨德;杨培鑫 申请(专利权)人: 郑州大学
主分类号: C03C17/22 分类号: C03C17/22;H01L31/0264;H01L31/032
代理公司: 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 代理人: 梁静
地址: 450052 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种基于非溶剂全无机Pb基钙钛矿薄膜的制备方法,属于半导体材料技术领域。包括以下步骤:S1、利用蒸发法制备CsX薄膜;S2、将PbX2粉体及S1制备的CsX薄膜置于管式炉中,并将CsX薄膜置于PbX2粉体上方,升温至300~400℃,反应10~180min,制得结构式为CsPbX3的钙钛矿薄膜,即为基于非溶剂全无机Pb基钙钛矿薄膜;其中,X为卤素离子。本发明在管式炉中使PbX2粉体变成蒸气,与CsX薄膜反应。这一过程周期短,无需使用有毒的溶剂,也不需考虑物质的溶解度,可节约材料、过程可控、操作简单,同时提高了CsPbX3薄膜的晶体质量。
搜索关键词: 一种 基于 溶剂 无机 pb 基钙钛矿 薄膜 制备 方法
【主权项】:
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