[发明专利]提高真空灭弧室击穿电压的试验装置及方法有效
| 申请号： | 202010803271.6 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN111999611B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李世民;孔凡珺;张潮海 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12;G01R31/327 |
| 代理公司： | 武汉维盾知识产权代理事务所(普通合伙) 42244 | 代理人： | 彭永念 |
| 地址： | 210001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种提高真空灭弧室击穿电压的试验装置及方法，包括直流电源，直流电源用于给真空灭弧室提供直流电，所述的真空灭弧室外部设置纵向磁场提供装置。所述的直流电源的正极输出端设有接触器，所述的接触器用于控制直流回路的通断。本发明采用纵向磁场控制直流电弧燃弧在阳极表面形成熔化层，有助于增加真空灭弧室的击穿电压；同时控制电弧时间和纵向磁场大小，实现熔化层厚度和均匀度的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 真空 灭弧室 击穿 电压 试验装置 方法 | ||
【主权项】：
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