[发明专利]一种基于类卤素原位钝化法的CdTe纳米晶制备方法在审
| 申请号： | 202010804013.X | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN111908435A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李璠;王晓峰;夏雪峰;王腾逸 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y40/00;B82Y20/00;C09K11/88 |
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| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于类卤素原位钝化法的CdTe纳米晶制备方法，属于纳米晶技术领域。该技术方案将类卤素铵盐(硫氰酸铵、四氟硼酸铵、六氟磷酸铵)引入到制备CdTe纳米晶的前驱体溶液中，原位引入的类卤素基团(即硫氰酸基团、四氟硼酸基团、六氟磷酸基团)能够有效钝化CdTe纳米晶的表面缺陷，减少非辐射复合中心，从而有效提高其荧光性能和稳定性。本发明制备的CdTe纳米晶具有较高的荧光性能，且稳定性较好；同时，其工艺过程简单，制备参数易于控制，重复性好，为制备高亮度稳定CdTe纳米晶提供了一种新的途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 卤素 原位 钝化 cdte 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
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