[发明专利]一种基于钒掺杂氧化钼的QLED器件及其制备方法

摘要

本发明公开一种基于钒掺杂氧化钼的QLED器件及其制备方法，涉及量子点发光二极管技术领域，器件包括由上而下依次设置的阴极层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层；阴极层用于产生电子；电子传输层用于使电子传输至量子点发光层；量子点发光层为电子和空穴的复合区，用于载流子的复合发光；空穴注入层用于使空穴从阴极层注入空穴传输层；空穴传输层用于使空穴传输至量子点发光层；阳极层为基底；空穴注入层包括钒掺杂氧化钼薄膜以及设置于钒掺杂氧化钼薄膜上部的聚(3,4‑乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐薄膜。本发明可以提高氧化钼薄膜的电荷传输特性，有利于器件中电子‑空穴注入平衡。