[发明专利]非易失性存储器装置在审
申请号: | 202010805205.2 | 申请日: | 2020-08-12 |
公开(公告)号: | CN112652631A | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 金江旻;宋昇珉;申载勋;申重植;林根元 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 陈晓博;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括:基底;第一模制结构,设置在基底上并且包括多个第一栅电极;第二模制结构,设置在第一模制结构上并且包括多个第二栅电极;以及多个沟道结构,通过穿透第一模制结构和第二模制结构而与所述多个第一栅电极和所述多个第二栅电极交叉,其中,第一模制结构包括彼此间隔开的第一堆叠件和第二堆叠件,并且第二模制结构包括堆叠在第一堆叠件上的第三堆叠件、堆叠在第二堆叠件上的第四堆叠件以及连接第三堆叠件和第四堆叠件的第一连接部。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的