[发明专利]非易失性存储器装置在审

专利信息
申请号: 202010805205.2 申请日: 2020-08-12
公开(公告)号: CN112652631A 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 金江旻;宋昇珉;申载勋;申重植;林根元 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/1157 分类号: H01L27/1157;H01L27/11582
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 陈晓博;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括:基底;第一模制结构,设置在基底上并且包括多个第一栅电极;第二模制结构,设置在第一模制结构上并且包括多个第二栅电极;以及多个沟道结构,通过穿透第一模制结构和第二模制结构而与所述多个第一栅电极和所述多个第二栅电极交叉,其中,第一模制结构包括彼此间隔开的第一堆叠件和第二堆叠件,并且第二模制结构包括堆叠在第一堆叠件上的第三堆叠件、堆叠在第二堆叠件上的第四堆叠件以及连接第三堆叠件和第四堆叠件的第一连接部。
搜索关键词: 非易失性存储器 装置
【主权项】:
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