[发明专利]三维存储器设备的互连结构有效
| 申请号： | 202010805284.7 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN111900173B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 吕震宇;宋立东;李勇娜;潘锋;S·W·杨;施文广 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11529 | 分类号： | H01L27/11529;H01L27/11531;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 3D NAND存储器设备(200)包括：衬底(202)；在衬底(202)上的、包括阶梯结构(212)的交替堆叠层(216)；垂直延伸穿过交替堆叠层(216)的阻挡结构(124、235)。交替堆叠层(216)包括介电质交替堆叠(214)和导体/介电质交替堆叠(210)。介电质交替堆叠(214)包括：至少被阻挡结构(124、235)环绕的介电层对。导体/介电质交替堆叠(210)包括导体/介电层对。存储器设备(200)还包括沟道结构(218)和狭缝结构(228)、蚀刻停止层(226)以及第一接触，所述沟道结构与狭缝结构中的每一者垂直延伸穿过导体/介电质交替堆叠(210)，所述蚀刻停止层(226)位于沟道结构(218)的一端上。以下各项中的每一项与各第一接触中的一个相接触：位于阶梯结构(212)中的导体/介电质交替堆叠(210)中的导体层(206)、蚀刻停止层(226)、以及狭缝结构(228)。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 设备 互连 结构 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
