[发明专利]包括铝互连件的设备、包括互连件的存储器装置以及相关方法在审
申请号: | 202010805286.6 | 申请日: | 2020-08-12 |
公开(公告)号: | CN112397515A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 杉岡繁;藤木謙昌;川北惠三;石野隆尚 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及包括铝互连件的设备、包括互连件的存储器装置以及相关方法。一种包括多层布线结构的设备,所述多层布线结构包括铝互连件。所述铝互连件包括第一部分、第二部分和第三部分,其中所述第二部分在所述第一部分与所述第三部分之间。所述第三部分包括在横向上的宽度,所述宽度大于所述第二部分在所述横向上的宽度。一种存储器装置,其包括存储器阵列,所述存储器阵列包括存储器单元和电连接到所述存储器阵列的控制逻辑组件。所述存储器单元中的至少一个包括多层布线结构,所述多层布线结构包括互连结构,其中所述互连结构包括第一部分、与所述第一部分相邻的第二部分以及与所述第二部分相邻的第三部分。所述第三部分包括在横向上的宽度,所述宽度大于所述第二部分在所述横向上的宽度。还公开了相关设备、存储器装置和方法。 | ||
搜索关键词: | 包括 互连 设备 存储器 装置 以及 相关 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的