[发明专利]用于制造包括低k介电材料层的半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010805333.7 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN112397440A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 高永珉;金钟旭;郑载琥;崔铜成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲;王华芹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用于制造包括低k介电材料层的半导体器件的方法，其包括在包括半导体衬底的下部结构上形成具有第一开口的第一图案结构。第一图案结构包括堆叠图案和覆盖堆叠图案的至少一个侧表面的第一间隔体层。包括SiOCH材料的第一能流动材料层形成在第一间隔体层上以填充第一开口并覆盖第一图案结构的上部部分。对第一能流动材料层进行包括将气态氨催化剂供应到第一能流动材料层中的第一固化工艺以形成包括水的第一固化材料层。对第一固化材料层进行第二固化工艺以形成第一低k介电材料层。将第一低k介电材料层平坦化以形成平坦化的第一低k介电材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 包括 材料 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
