[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010808523.4 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN111933583A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 薛迎飞;王喜龙 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L21/683;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供多个第一芯片，每个第一芯片具有相对的第一功能面和第一非功能面；提供载体晶圆，所述载体晶圆具有承载面；将多个所述第一芯片与载体晶圆固定，所述第一非功能面朝向承载面；提供第二晶圆；在将多个所述第一芯片与载体晶圆固定后，将所述第二晶圆与多个第一芯片键合，所述第一功能面朝向所述第二晶圆。从而，提高了半导体结构的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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