[发明专利]栅极无损伤制备方法及基于该制备方法的HEMT在审
| 申请号： | 202010809883.6 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN112038227A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 许明伟;李海滨;樊晓兵 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇芯通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 518035 广东省深圳市福田区华富街道莲*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种栅极无损伤制备方法及基于该制备方法的HEMT。方法包括：在HEMT外延结构的上方沉积多层介质层；干法刻蚀多层介质层中位于顶层的介质层，形成第一栅极接触孔；湿法刻蚀多层介质层中位于次顶层的介质层，形成第二栅极接触孔；在第一栅极接触孔与第二栅极接触孔中沉积金属，得到栅极。采用本申请，干法刻蚀顶层介质层，可以实现图形的精确转移，避免湿法刻蚀对图形尺寸控制较差的缺点，确保器件性能的稳定。湿法刻蚀次顶层介质层，有效避免干法刻蚀对HEMT栅下介质层或半导体层的损伤，提高了HEMT的电学性能和可靠性。干法刻蚀与湿法刻蚀相结合，既使HEMT器件具有预期的尺寸和形貌，又保障其性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 损伤 制备 方法 基于 hemt | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市汇芯通信技术有限公司，未经深圳市汇芯通信技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010809883.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
