[发明专利]一种氮化镓增强型HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010812861.5 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN112086362A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;林峰;利键;陈勇;王磊;黎晓华;贺威;俞文杰;吕有明;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;朱德亮 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/465;H01L21/477;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/24;H01L29/778;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 周淑歌 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种氮化镓增强型HEMT器件及其制备方法。该方法采用ICP进行氧气等离子优化氮化镓导电通道，在沉积绝缘介电层之前先进行氧气等离子体处理，然后进行原位退火，在栅极区产生一种晶体GaON纳米相作为优化的通道层，该方法能够有效的降低凹槽内壁由于刻蚀工艺所以引入的高浓度杂质表面态以及粗糙的内壁形貌，提高器件的稳定性和可靠性，同时，器件的击穿电压和导通/关断电流比提高，进而提高器件工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 增强 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
