[发明专利]锗波导探测器侧壁浅结离子注入工艺

摘要

本发明公开了一种锗波导探测器侧壁浅结离子注入工艺，先在锗波导上光刻出N型侧壁注入区和第一接触区，然后采用固定靶盘倾角的大束流离子注入设备分别对N型侧壁和第一接触区进行N型注入，之后在锗波导上光刻出P型侧壁注入区和第一接触区，再采用固定靶盘倾角的大束流离子注入设备分别对P型侧壁和第一接触区进行P型注入。本发明中，通过调整注入设备的注入倾角和旋转角，分别对侧壁和接触区进行小偏角注入，从而大大降低了对设备的注入剂量要求，使用普通的固定靶盘倾角的大束流离子注入设备即可完成侧壁浅结离子注入工艺，降低了工艺设备的成本，且注入效果和大偏角一体注入的效果相当。