[发明专利]磁场传感器及测试方法有效
| 申请号： | 202010815288.3 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN111929625B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 毕冲;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种磁场传感器，应用于磁传感器技术领域，所述磁场传感器的衬底上沉积单层铁磁层，所述铁磁层内部发生自旋积累，以与所述铁磁层的磁矩相互作用产生单向磁电阻；所述磁场传感器为霍尔棒结构，利用所述霍尔棒结构测量所述单向磁电阻。本申请还公开了一种测试方法，单向磁电阻信号强度强，利用普通的电压即可进行磁场全角度检测。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 传感器 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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