[发明专利]一种碳硅负极材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010815624.4 申请日: 2020-08-13
公开(公告)号: CN112054171A 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 李春松;王亮;郑强勇;罗旺;王峰;崔云龙 申请(专利权)人: 利普同呈(江苏)新能源科技有限公司;徐州利普同呈新材料研究院有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;C01B33/023
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰;黄进
地址: 221600 江苏省徐州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种碳硅负极材料及其制备方法,该碳硅负极材料为具有核部和壳部的核壳结构,所述核部为负载有纳米硅的多孔碳材料,所述壳部为包覆所述核部的导电碳层,所述导电碳层中包含有导电剂和由有机裂解碳源裂解形成的有机裂解碳。碳硅负极材料的制备方法是利用多孔碳材料的孔隙和表面负载纳米硅,缓解纳米硅的体积膨胀问题;通过水解有机硅源生成纳米硅,克服了纳米硅制备成本高、团聚等问题;采用有机裂解碳和导电剂作为导电碳层,包覆在负载有纳米硅的多孔碳材料,隔离了电解液的侵蚀,保证了材料结构的稳定性。本发明的碳硅负极材料具有优异的电化学性能。
搜索关键词: 一种 负极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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