[发明专利]高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 202010817220.9 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN111925797B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王溯;蒋闯;季峥;徐锦波 | 申请（专利权）人： | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 王卫彬;陈卓 |
| 地址： | 201616 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用。本发明具体公开了一种蚀刻液，按质量份数计，其包括下述组分：0.2‑12.5份的如式A所示的化合物、74.2‑85.1份的磷酸和12.9‑15.6份的水。本发明的蚀刻液可提高氧化硅和氮化硅的蚀刻选择比，选择性地去除氮化物膜，提升蚀刻液的寿命，能适应层叠结构层数的增加。 |
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| 搜索关键词： | 选择 氮化 蚀刻 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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