[发明专利]一种自旋极化耦合的GaN MOSFET及其制备方法有效
| 申请号： | 202010817275.X | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112071903B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 吴少兵;陈韬 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/43;H01L29/778;H01L29/66;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹芸 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自旋极化耦合的GaN MOSFET及制备方法，属于铁磁材料领域及三代半导体微波毫米波器件领域。该结构包括GaN MOSFET完整外延结构以及在GaN MOSFET完整外延结构上制备的源漏金属、源漏保护SiN介质、一次栅金属磁化膜及二次栅金属。本发明通过在GaN MOSFET完整外延结构的势垒层表面制备磁化膜形成一次栅金属磁化膜，再通过制备二次栅金属形成完整栅极。本发明可通过栅极的磁性大小及磁化方向来调制沟道内的二维电子气的电子自旋方向；同时可调控沟道内的二维电子气浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自旋 极化 耦合 gan mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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