[发明专利]存储器件及其制造方法

摘要

提供了存储器件及其制造方法。所述存储器件可以包括：衬底；第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括交替地堆叠在所述衬底上的多个第一栅极层和多个第一层间绝缘层；第二堆叠结构，所述第二堆叠结构包括交替地堆叠在所述第一堆叠结构上的多个第二栅极层和多个第二层间绝缘层；以及沟道结构，所述沟道结构穿过所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构，其中，所述沟道结构包括位于穿过所述第一堆叠结构的第一沟道孔中的第一部分、位于穿过所述第二堆叠结构的第二沟道孔中的第二部分以及位于第一凹部中的第一突出部，所述第一凹部从所述第一沟道孔的侧部凹进到所述多个第一层间绝缘层中的一层中。