[发明专利]半导体芯片堆叠结构、半导体封装件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010817356.X 申请日: 2020-08-14
公开(公告)号: CN112435994A 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 金庸镐 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/00;H01L23/48;H01L23/488
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张青
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种半导体芯片堆叠件、半导体封装件及其制造方法。所述半导体芯片堆叠件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一芯片包括:第一半导体衬底,其具有有源表面和无源表面;第一绝缘层,其形成在无源表面上;以及第一焊盘,其形成在第一绝缘层中。第二半导体芯片包括:第二半导体衬底,其具有有源表面和无源表面;第二绝缘层,其形成在有源表面上;第二焊盘,其形成在第二绝缘层中;聚合物层,其形成在第二绝缘层上;凸块下金属化(UBM)图案,其埋置在聚合物层中;以及埋置焊料,其分别形成在UBM图案上,并埋置在聚合物层中。埋置焊料的下表面与聚合物层的下表面共面,埋置焊料分别在接触表面处接触第一焊盘,并且埋置焊料的截面面积在接触表面上最大。
搜索关键词: 半导体 芯片 堆叠 结构 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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