[发明专利]一种SiC IGBT器件行为模型建立方法有效
申请号: | 202010817389.4 | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN111898281B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 梁琳;韩鲁斌 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20 |
代理公司: | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人: | 廖盈春;曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种SiC IGBT器件行为模型建立方法,模拟给定栅射极电压任意集射极电压下的集电极电流值,定集射极电压任意栅射极电压下的集电极电流值,以及任意集射极电压和任意栅射极电压下的集电极电流值,和任意集射极电压、任意栅射极电压以及任意温度下的集电极电流值,并模拟寄生电容随集射极电压的变化和关断过程的集电极电流的下降和拖尾过程。本发明没有复杂和强耦合的物理关系,采用受控电流源的方式使得模型更加简单和容易实施;采用了插值方法和提取全阻断电压范围的寄生电容变化,保证了静态和动态仿真结果的准确性;本发明计算过程为一次或二次方程的求解过程,使得仿真速度更快且更容易收敛。 | ||
搜索关键词: | 一种 sic igbt 器件 行为 模型 建立 方法 | ||
【主权项】:
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