[发明专利]一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器在审
| 申请号： | 202010818049.3 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN111999366A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 毛舜;陈晓燕;郝斯贝;徐齐昆 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;G01N33/53 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 蒋亮珠 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，该传感器包括硅栅极(1)、二氧化硅层(2)、插指电极区域和抗生素检测探针；二氧化硅层(2)位于硅栅极(1)上方，插指电极区域位于二氧化硅层(2)上方，抗生素检测探针位于插指电极区域上方，抗生素检测探针与插指电极区域之间设有二硫化钼层(5)，作为半导体导电沟道，硅栅极(1)和插指电极区域与检测响应信号的半导体分析仪电连接。与现有技术相比，本发明具有高灵敏度、高检测速度、高选择性、低成本、便携等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dna 修饰 二硫化钼 场效应 晶体管 抗生素 传感器 | ||
【主权项】：
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