[发明专利]一种波导型光电探测器及制造方法在审
申请号: | 202010818164.0 | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN111933753A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 熊文娟;王桂磊;亨利·H·阿达姆松 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0232;H01L31/101 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 柳虹 |
地址: | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种波导型光电探测器及制造方法,第一衬底的正面形成有包覆层,包覆层中形成有氮化硅光波导,第二衬底的正面形成有锗外延层,第一衬底和第二衬底的正面键合之后,从第二衬底的背面进行减薄,以暴露锗外延层,而后在锗外延层上形成光电探测器,从而实现氮化硅光波导与锗基探测器的集成。由于氮化硅光波导具有较低的传输损耗,能够提高光的传输效率,同时氮化硅波导与锗基光电探测器之间能形成高质量的氮化硅/锗界面,提高光电探测器的响应度以及光电转换能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 波导 光电 探测器 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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