[发明专利]在片校准件模型及在片校准件模型中参数确定的方法有效
| 申请号： | 202010819042.3 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112098791B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 王一帮;吴爱华;梁法国;刘晨;霍晔;栾鹏;孙静;李彦丽 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型及在片校准件模型中参数确定的方法，该在片校准模型包括：表征在片校准件串扰的电阻和表征在片校准件串扰的电容；所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路串联，所述表征在片校准件串扰的电容的一端连接在所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路的一端之间，所述表征在片校准件串扰的电容的另一端连接在原校准件模型中的元件构成的电路的另一端。本实施例提供的在片校准模型，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 校准 模型 参数 确定 方法 | ||
【主权项】：
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