[发明专利]制造半导体器件的方法及对应的半导体器件在审
| 申请号： | 202010819155.3 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112397397A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | F·G·齐格利奥利;A·平图斯;M·德赖;P·马格尼 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/48;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/485;H01L23/528;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的各实施例涉及制造半导体器件的方法及对应的半导体器件。一种制造诸如集成电路的半导体器件的方法包括将一个或多个半导体裸片布置在支撑表面上。激光直接成型材料被成型到支撑表面上，该支撑表面上布置有一个/多个半导体裸片。在成型到其上布置有一个/多个半导体裸片的支撑表面上的激光直接成型材料上执行激光束加工，以针对布置在支撑表面上的一个/多个半导体裸片提供导电结构。设置有导电结构的一个/多个半导体裸片与支撑表面分离。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 对应 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
