[发明专利]一种n型多晶硅太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 202010819612.9 | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN111933754A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 孙鹏 | 申请(专利权)人: | 孙鹏 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/048 |
代理公司: | 北京君恒知识产权代理有限公司 11466 | 代理人: | 余威 |
地址: | 150200 黑龙江省哈尔滨市*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明涉及电池制造领域,更具体的说是一种n型多晶硅太阳能电池及其制造方法。一种n型多晶硅太阳能电池制造方法,包括以下步骤:步骤一、在硅片上划出多条划痕;步骤二、将硅片放入酸性蚀刻液中对硅片表面进行蚀刻,增大硅片的表面积;步骤三、在硅片的上下两侧添加玻璃层和背膜层,然后将硅片、玻璃层和背膜层放入矩形金属框中;一种n型多晶硅太阳能电池制造方法所制造的多晶硅太阳能电池,该多晶硅太阳能电池由硅片、玻璃层和背膜层放入矩形金属框中组成。所述n型多晶硅太阳能电池制造装置包括矩形筒、滤板、平条、电动推杆II、T形杆、转筒、电机I、摩擦轮和凸刃,矩形筒上固定连接有滤板,平条设置在矩形筒的上方。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的