[发明专利]光谱芯片中的微纳结构阵列的生成方法在审
申请号: | 202010820373.9 | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN112018139A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 崔开宇;杨家伟;黄翊东;张巍;冯雪;刘仿 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王宇杨 |
地址: | 100084 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种光谱芯片中的微纳结构阵列的生成方法,包括:生成二维光栅结构的步骤;将排布周期内的区域进行网格划分;对多个网格区域进行像素值的随机分配,得到与随机形状结构对应的初始图案;不同的像素值表示对应的网格区域具备不同的折射率;对初始图案进行滤波平滑处理和二值化处理,得到二值化图案;二值化图案对应一个随机形状结构。本发明实施例提供的光谱芯片中的微纳结构阵列的生成方法,可以生成互不相同的随机形状结构,使得基于该随机形状结构的二维光栅结构具有对入射光丰富的宽谱调制特性,克服了传统光谱恢复的局限性,从而有利于提高光谱恢复的精度。 | ||
搜索关键词: | 光谱 芯片 中的 结构 阵列 生成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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