[发明专利]一种提高ZnTe晶体掺杂元素均匀性的方法在审
| 申请号： | 202010821085.5 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN111893572A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 徐亚东;孙俊杰 | 申请（专利权）人： | 南京公诚节能新材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B11/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 深圳紫晴专利代理事务所(普通合伙) 44646 | 代理人： | 陈映辉 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高ZnTe晶体掺杂元素均匀性的方法，包括如下步骤：采用Te熔剂‑TGSM技术生长ZnTe电光晶体；将晶体在生长炉内低温区保温退火；将晶体锭条取出，进行定向切片，研磨和抛光，然后清洗干净并甩干备用；建立掺杂量与ZnTe晶体电阻率及载流子传输特性的定量关系，获得THz辐射的吸收和散射机理；将晶体切片架在石英支架上固定于石英安瓿内，将安瓿瓶进行内进行抽真空，然后对安瓿瓶的瓶口进行熔封，将安瓿瓶放入退火炉进行均匀性退火。通过建立掺杂量与ZnTe晶体电阻率及载流子传输特性的定量关系，获得THz辐射的吸收和散射机理，优化掺杂浓度及设计多阶段组合退火处理工艺，最终获得高均匀性光学品质的ZnTe晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 znte 晶体 掺杂 元素 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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