[发明专利]碳掺杂调控的GaN基HEMT外延结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010822480.5 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN111952365A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王柏斌;赵德刚;梁锋;杨静;刘宗顺;陈平;朱建军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/207;H01L29/36;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘歌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本公开提供了一种碳掺杂调控的GaN基HEMT外延结构及其制作方法，其碳掺杂调控的GaN基HEMT外延结构沿外延生长方向依次包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层和势垒层；所述成核层外延生长在所述衬底上；所述缓冲层外延生长在所述成核层上；所述缓冲层的碳杂质浓度大于或等于10 |
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| 搜索关键词： | 掺杂 调控 gan hemt 外延 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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