[发明专利]半导体与MOF骨架空间互补的三维有序结构、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 202010822546.0 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112063183B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 邓鹤翔;江卓;徐晓晖;昝菱 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C08L87/00 | 分类号： | C08L87/00;C08K3/22;B01J31/22;B01J31/38;B01J31/34;B01J35/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 石超群 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明为半导体与MOF骨架空间互补的三维有序结构开发的技术领域，具体涉及一种半导体与MOF骨架空间互补的三维有序结构、其制备方法及应用。半导体与MOF骨架空间互补的三维有序结构，包括MOF及填充在MOF孔道内的半导体，在MOF孔道中的半导体空间排布具有周期性，且尺寸均一，所述半导体的粒径不大于MOF晶格中所对应的孔道直径，半导体与MOF骨架在空间上互补、与MOF孔道内壁拼接准确。本发明的半导体与MOF骨架空间互补的三维有序结构，半导体材料尺寸均一，排布周期性与介孔孔道一致，可以构筑出其它传统方法无法获得的三维堆积方式，因而更容易制备出活性极高的复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 mof 骨架 空间 互补 三维 有序 结构 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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