[发明专利]一种高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 202010822571.9 申请日: 2020-08-14
公开(公告)号: CN111849487B 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 王溯;孙红旗;季峥;蔡进 申请(专利权)人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
主分类号: C09K13/06 分类号: C09K13/06;H01L21/311;C07F7/18
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 王卫彬;陈卓
地址: 201616 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用。该蚀刻液由下述原料制得,所述的原料包括以下质量分数的组分:75%‑85%的磷酸、0.1%‑12%的化合物A和3%‑24%的水,所述的质量分数为各组分质量占各组分总质量的百分比。本发明的蚀刻液对氧化硅和氮化硅的蚀刻速率选择比适当、能够选择性地去除氮化物膜、提升蚀刻液的寿命且能适应层叠结构层数的增加。
搜索关键词: 一种 选择 氮化 蚀刻 制备 方法 应用
【主权项】:
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