[发明专利]石墨盘翻转式GaN单晶衬底激光预剥离集成腔在审
| 申请号： | 202010823206.X | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN111778559A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 韩海军;程发斌;王小龙;张鹏;朱昌亚 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院总体工程研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18;C30B25/02 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 许驰 |
| 地址： | 621908*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了石墨盘翻转式GaN单晶衬底激光预剥离集成腔，采用包含相变材料的保温托盘实现石墨圆盘的保温，在一定时间内可使保温托盘维700℃以上高温，将显著降低GaN单晶衬底片因温度突变或温度过低导致生长质量问题的概率，提高GaN单晶生长质量；采用集成腔室与HVPE设备连接，腔室内部可实现一定真空度或充填惰性气体，并具有加热保温功能，可以保证GaN单晶衬底片在整个中转过程中的环境氛围，确保后续工艺中的GaN单晶衬底生长质量；采用具有保温功能的中转托盘在集成腔中全盘转接保温托盘中的GaN单晶衬底片，使所有GaN单晶片的蓝宝石衬底面朝上，这样，既可以取消伯努利吸附传输方式，还可以显著提高GaN单晶衬底片的激光预剥离效率。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 翻转 gan 衬底 激光 剥离 集成 | ||
【主权项】：
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